This paper reports on the early variations of the base current (burn-in effect) in SiN passivated, double-mesa processed, In/C-doped GaInP/GaAs HBT's induced by stressing the devices at room temperature and under different bias conditions
Early Variations of the Base Current in In/C-doped GaInP/GaAs HBT's / Borgarino, Mattia; R., Plana; S., Delage; H., Blank; Fantini, Fausto; J., Graffeuil. - STAMPA. - (1998), pp. 92-97. (Intervento presentato al convegno International Reliability Physics Symposium tenutosi a Reno nel 31 marzo-2 aprile 1998).
Early Variations of the Base Current in In/C-doped GaInP/GaAs HBT's
BORGARINO, Mattia;FANTINI, Fausto;
1998
Abstract
This paper reports on the early variations of the base current (burn-in effect) in SiN passivated, double-mesa processed, In/C-doped GaInP/GaAs HBT's induced by stressing the devices at room temperature and under different bias conditions
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