EnglishThis work reports on hot electron stress experiments performed on SiN passivated AlGaAs/InGaAs/ GaAs pseudomorphic HEMTs and InAlAs/InGaAs/InP lattice-matched HEMTs.
The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1997), pp. 242-247. ((Intervento presentato al convegno International Reliability physics Symposium tenutosi a Denver nel 8-10 aprile 1997.
| Data di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs |
| Autore/i: | R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | International Reliability physics Symposium |
| Luogo del convegno: | Denver |
| Data del convegno: | 8-10 aprile 1997 |
| Pagina iniziale: | 242 |
| Pagina finale: | 247 |
| Citazione: | The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1997), pp. 242-247. ((Intervento presentato al convegno International Reliability physics Symposium tenutosi a Denver nel 8-10 aprile 1997. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/745351
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