This work reports on hot electron stress experiments performed on SiN passivated AlGaAs/InGaAs/ GaAs pseudomorphic HEMTs and InAlAs/InGaAs/InP lattice-matched HEMTs.

The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1997), pp. 242-247. (Intervento presentato al convegno International Reliability physics Symposium tenutosi a Denver nel 8-10 aprile 1997).

The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs

BORGARINO, Mattia;FANTINI, Fausto
1997

Abstract

This work reports on hot electron stress experiments performed on SiN passivated AlGaAs/InGaAs/ GaAs pseudomorphic HEMTs and InAlAs/InGaAs/InP lattice-matched HEMTs.
1997
International Reliability physics Symposium
Denver
8-10 aprile 1997
242
247
R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto
The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1997), pp. 242-247. (Intervento presentato al convegno International Reliability physics Symposium tenutosi a Denver nel 8-10 aprile 1997).
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