This work reports on hot electron stress experiments performed on SiN passivated AlGaAs/InGaAs/ GaAs pseudomorphic HEMTs and InAlAs/InGaAs/InP lattice-matched HEMTs.
The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / R., Menozzi; Borgarino, Mattia; P., Cova; Y., Baeyens; M., Van Hove; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1997), pp. 242-247. (Intervento presentato al convegno International Reliability physics Symposium tenutosi a Denver nel 8-10 aprile 1997).
The effect of Hot Electron Stress on the DC and Microwave Characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs
BORGARINO, Mattia;FANTINI, Fausto
1997
Abstract
This work reports on hot electron stress experiments performed on SiN passivated AlGaAs/InGaAs/ GaAs pseudomorphic HEMTs and InAlAs/InGaAs/InP lattice-matched HEMTs.Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris