By applying a light electrical stress at room temperature to an ALE grwon double mesa processed DHBT and comparing the experimental data with numerical simulations new interesteing results are obtained.
Negative Vbe shift due to base dopant outdiffusion in DHBT / Borgarino, M., F., P., Fantini, F.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 39:(1996), pp. 1305-1310. [10.1016/0038-1101(96)00041-X]
Negative Vbe shift due to base dopant outdiffusion in DHBT
BORGARINO, Mattia;FANTINI, Fausto
1996
Abstract
By applying a light electrical stress at room temperature to an ALE grwon double mesa processed DHBT and comparing the experimental data with numerical simulations new interesteing results are obtained.
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