New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress

Young, C. D.; Bersuker, G.; Jo, M.; Matthews, K.; Huang, J.; Deora, S.; Ang, K. W.; Ngai, T.; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; Kirsch, P. D.

The breakdown (TDDB/SILC) characteristics of nMOS transistors with hafnium-based gate dielectric stacks of various zirconium content were investigated. It is found that the gate stack composition affects the SILC-voltage dependency while the voltage value chosen for SILC monitoring impacts significantly the SILC-based lifetime projection. For the worst case lifetime evaluation, SILC should be monitored at its maximum value rather than at any pre-defined, fixed voltage.

New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress / C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 5D.3.1-5D.3.5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium tenutosi a Anaheim (CA), USA nel Aprile 15-19, 2012.

Data di pubblicazione:	2012
Titolo:	New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress
Autore/i:	C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch
Autore/i UNIMORE:	C. D. Young G. Bersuker M. Jo K. Matthews J. Huang S. Deora K. W. Ang T. Ngai PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca Chris Hobbs P. D. Kirsch mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	IEEE International Reliability Physics Symposium
Luogo del convegno:	Anaheim (CA), USA
Data del convegno:	Aprile 15-19, 2012
Pagina iniziale:	5D.3.1
Pagina finale:	5D.3.5
Citazione:	New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress / C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 5D.3.1-5D.3.5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium tenutosi a Anaheim (CA), USA nel Aprile 15-19, 2012.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/739459

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