The breakdown (TDDB/SILC) characteristics of nMOS transistors with hafnium-based gate dielectric stacks of various zirconium content were investigated. It is found that the gate stack composition affects the SILC-voltage dependency while the voltage value chosen for SILC monitoring impacts significantly the SILC-based lifetime projection. For the worst case lifetime evaluation, SILC should be monitored at its maximum value rather than at any pre-defined, fixed voltage.
New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress / C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 5D.3.1-5D.3.5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium tenutosi a Anaheim (CA), USA nel Aprile 15-19, 2012.
Data di pubblicazione: | 2012 | |
Titolo: | New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress | |
Autore/i: | C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Nome del convegno: | IEEE International Reliability Physics Symposium | |
Luogo del convegno: | Anaheim (CA), USA | |
Data del convegno: | Aprile 15-19, 2012 | |
Pagina iniziale: | 5D.3.1 | |
Pagina finale: | 5D.3.5 | |
Citazione: | New Insights into SILC Monitoring During TDDB Stress / C. D., Young; G., Bersuker; M., Jo; K., Matthews; J., Huang; S., Deora; K. W., Ang; T., Ngai; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Chris, Hobbs; P. D., Kirsch. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 5D.3.1-5D.3.5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium tenutosi a Anaheim (CA), USA nel Aprile 15-19, 2012. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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