In this work we discuss the factors limiting the M-1 measurements at low electric fields in lightly doped collector AlGaAs/GaAs HBT and extract the value of the electron ionization coefficient from the measured multiplication factor down to unity, extending previously available data.

Measurement of the electron impact-ionization coefficient in <100> GaAs at low electric fields by means of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors / C., Canali; R. J., Malik; A., Neviani; Pavan, Paolo; C., Tedesco; E., Zanoni. - STAMPA. - (1993), pp. 72-73. ((Intervento presentato al convegno 17th European Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits tenutosi a Salsomaggiore Terme , PR (I) nel May 31 - June 2, 1993.

Measurement of the electron impact-ionization coefficient in <100> GaAs at low electric fields by means of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

PAVAN, Paolo;
1993-01-01

Abstract

In this work we discuss the factors limiting the M-1 measurements at low electric fields in lightly doped collector AlGaAs/GaAs HBT and extract the value of the electron ionization coefficient from the measured multiplication factor down to unity, extending previously available data.
17th European Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
Salsomaggiore Terme , PR (I)
May 31 - June 2, 1993
72
73
C., Canali; R. J., Malik; A., Neviani; Pavan, Paolo; C., Tedesco; E., Zanoni
Measurement of the electron impact-ionization coefficient in <100> GaAs at low electric fields by means of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors / C., Canali; R. J., Malik; A., Neviani; Pavan, Paolo; C., Tedesco; E., Zanoni. - STAMPA. - (1993), pp. 72-73. ((Intervento presentato al convegno 17th European Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits tenutosi a Salsomaggiore Terme , PR (I) nel May 31 - June 2, 1993.
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