In this work we discuss the factors limiting the M-1 measurements at low electric fields in lightly doped collector AlGaAs/GaAs HBT and extract the value of the electron ionization coefficient from the measured multiplication factor down to unity, extending previously available data.
Measurement of the electron impact-ionization coefficient in <100> GaAs at low electric fields by means of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors / C., Canali; R. J., Malik; A., Neviani; Pavan, Paolo; C., Tedesco; E., Zanoni. - STAMPA. - (1993), pp. 72-73. (Intervento presentato al convegno 17th European Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits tenutosi a Salsomaggiore Terme , PR (I) nel May 31 - June 2, 1993).
Measurement of the electron impact-ionization coefficient in <100> GaAs at low electric fields by means of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
PAVAN, Paolo;
1993
Abstract
In this work we discuss the factors limiting the M-1 measurements at low electric fields in lightly doped collector AlGaAs/GaAs HBT and extract the value of the electron ionization coefficient from the measured multiplication factor down to unity, extending previously available data.
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