This paper characterizes avalanche phenomena in AlGaAs/GaAs heterojunction Bipolar Transistors by measuring the reduction and reversal of the base current induced by impact ionization. Light emitted by AlGaAs/GaAs HBTs has been measured in the 1.1 - 2.7 eV energy range.

Negative base current, impact-ionization and light emission phenomena in AlGaAs/GaAs HBT's / E., Zanoni; R., Malik; J., Nagle; Pavan, Paolo; L., Vendrame; C., Canali. - STAMPA. - (1992), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe tenutosi a Segovia, Spain nel May 24-27 1992.

Negative base current, impact-ionization and light emission phenomena in AlGaAs/GaAs HBT's

PAVAN, Paolo;
1992-01-01

Abstract

This paper characterizes avalanche phenomena in AlGaAs/GaAs heterojunction Bipolar Transistors by measuring the reduction and reversal of the base current induced by impact ionization. Light emitted by AlGaAs/GaAs HBTs has been measured in the 1.1 - 2.7 eV energy range.
Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
Segovia, Spain
May 24-27 1992
1
2
E., Zanoni; R., Malik; J., Nagle; Pavan, Paolo; L., Vendrame; C., Canali
Negative base current, impact-ionization and light emission phenomena in AlGaAs/GaAs HBT's / E., Zanoni; R., Malik; J., Nagle; Pavan, Paolo; L., Vendrame; C., Canali. - STAMPA. - (1992), pp. 1-2. ((Intervento presentato al convegno Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe tenutosi a Segovia, Spain nel May 24-27 1992.
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