Hot-carrier degradation and oxide charge build-up in self-aligned etched-polysilicon npn bipolar transistors

Neviani, A.; Pavan, Paolo; Chantre, A.; Stucchi, M.; Tommasin, T.; Vendrame, L.; Zanoni, E.

The aim of this paper is to present the results of several accelerated tests performed on self-aligned bipolar transistors with emitter spacers. We show that the problem of lifetime extrapolation is complicated by a strong dependence of degradation kinetics on device layout. We also demonstrate, by means of emission microscopy, that remarkable current crowding effects take place during accelerated testing, especially for tests performed avalanching the base-emitter junction, thus hampering the usual normalization of accelerating factors to device perimeters. A new method for evaluating charge injection in the oxide is described; the method consists in evaluating the decrease in the electric field at the periphery of the device by measuring the temperature dependence of the tunneling reverse base current component.

Hot-carrier degradation and oxide charge build-up in self-aligned etched-polysilicon npn bipolar transistors / A., Neviani; Pavan, Paolo; A., Chantre; M., Stucchi; T., Tommasin; L., Vendrame; E., Zanoni. - STAMPA. - (1996), pp. 979-982. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC 96 tenutosi a Bologna, I nel 9-11 sept. 1996.

Data di pubblicazione:	1996
Titolo:	Hot-carrier degradation and oxide charge build-up in self-aligned etched-polysilicon npn bipolar transistors
Autore/i:	A., Neviani; Pavan, Paolo; A., Chantre; M., Stucchi; T., Tommasin; L., Vendrame; E., Zanoni
Autore/i UNIMORE:	A. Neviani PAVAN, Paolo A. Chantre M. Stucchi T. Tommasin L. Vendrame E. Zanoni mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0343762935
Nome del convegno:	ESSDERC 96
Luogo del convegno:	Bologna, I
Data del convegno:	9-11 sept. 1996
Pagina iniziale:	979
Pagina finale:	982
Citazione:	Hot-carrier degradation and oxide charge build-up in self-aligned etched-polysilicon npn bipolar transistors / A., Neviani; Pavan, Paolo; A., Chantre; M., Stucchi; T., Tommasin; L., Vendrame; E., Zanoni. - STAMPA. - (1996), pp. 979-982. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC 96 tenutosi a Bologna, I nel 9-11 sept. 1996.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/737722

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