EnglishSilicon−germanium alloying is emerging as one of the most promising strategies to engineer heat transport at the nanoscale. Here, we perform first-principles electron transport calculations to assess at what extent such approach can be followed without worsening the electrical conduction properties of the system, providing then a path toward high-efficiency thermoelectric materials.
Electron Transport in SiGe Alloy nanowires in the Ballistic Regime from First Principles / Amato, Michele; Ossicini, Stefano; R., Rurali. - In: NANO LETTERS. - ISSN 1530-6984. - STAMPA. - 12(2012), pp. 2717-2721.
| Data di pubblicazione: | 2012 |
| Titolo: | Electron Transport in SiGe Alloy nanowires in the Ballistic Regime from First Principles |
| Autore/i: | Amato, Michele; Ossicini, Stefano; R., Rurali |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1021/nl204313v |
| Rivista: | |
| Volume: | 12 |
| Pagina iniziale: | 2717 |
| Pagina finale: | 2721 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000305106400011 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84862287046 |
| Codice identificativo Pubmed: | 22545577 |
| Citazione: | Electron Transport in SiGe Alloy nanowires in the Ballistic Regime from First Principles / Amato, Michele; Ossicini, Stefano; R., Rurali. - In: NANO LETTERS. - ISSN 1530-6984. - STAMPA. - 12(2012), pp. 2717-2721. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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