A combined BIS-XPS study of the Pd-Si(111)7x7 interface formation is presented. A Pd2Si-like distribution of partial density of empty states is found starting from the early stages of Si-Pd bond formation
BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION / J. Y., Veuillen; T. T., Nguyen; R., Cinti; D'Addato, Sergio; S., Turchini; Nannarone, Stefano; A., Santaniello; G., Rossi. - In: VACUUM. - ISSN 0042-207X. - STAMPA. - 41:(1990), pp. 702-704. [10.1016/0042-207X(90)90456-9]
BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION
D'ADDATO, Sergio;NANNARONE, Stefano;
1990
Abstract
A combined BIS-XPS study of the Pd-Si(111)7x7 interface formation is presented. A Pd2Si-like distribution of partial density of empty states is found starting from the early stages of Si-Pd bond formation
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