BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION

Veuillen, J. Y.; Nguyen, T. T.; Cinti, R.; D'Addato, Sergio; Turchini, S.; Nannarone, Stefano; Santaniello, A.; Rossi, G.

doi:10.1016/0042-207X(90)90456-9

A combined BIS-XPS study of the Pd-Si(111)7x7 interface formation is presented. A Pd2Si-like distribution of partial density of empty states is found starting from the early stages of Si-Pd bond formation

BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION / J. Y., Veuillen; T. T., Nguyen; R., Cinti; D'Addato, Sergio; S., Turchini; Nannarone, Stefano; A., Santaniello; G., Rossi. - In: VACUUM. - ISSN 0042-207X. - STAMPA. - 41(1990), pp. 702-704.

Data di pubblicazione:	1990
Titolo:	BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION
Autore/i:	J. Y., Veuillen; T. T., Nguyen; R., Cinti; D'Addato, Sergio; S., Turchini; Nannarone, Stefano; A., Santaniello; G., Rossi
Autore/i UNIMORE:	J. Y. VEUILLEN T. T. NGUYEN R. CINTI D'ADDATO, Sergio S. TURCHINI NANNARONE, Stefano A. SANTANIELLO G. ROSSI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/0042-207X(90)90456-9
Rivista:	VACUUM
Volume:	41
Pagina iniziale:	702
Pagina finale:	704
Codice identificativo ISI:	WOS:A1990DR51600220
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0025556438
Citazione:	BIS INVESTIGATION OF PD-SI(111)7X7 INTERFACE FORMATION / J. Y., Veuillen; T. T., Nguyen; R., Cinti; D'Addato, Sergio; S., Turchini; Nannarone, Stefano; A., Santaniello; G., Rossi. - In: VACUUM. - ISSN 0042-207X. - STAMPA. - 41(1990), pp. 702-704.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/668645

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