A detailed calculation based on a phenomenological three-layer model of the electron energy loss spectrum of Si(111)2x1, in the region of dangling bond excitation, was performed.
DISPERSION EFFECTS AND ELECTRON-ENERGY LOSS OF SILICON SURFACE / D'Addato, Sergio; Nannarone, Stefano; M., Decrescenzi. - In: SURFACE SCIENCE. - ISSN 0039-6028. - STAMPA. - 162:(1985), pp. 175-183. [10.1016/0039-6028(85)90892-1]
DISPERSION EFFECTS AND ELECTRON-ENERGY LOSS OF SILICON SURFACE
D'ADDATO, Sergio;NANNARONE, Stefano;
1985
Abstract
A detailed calculation based on a phenomenological three-layer model of the electron energy loss spectrum of Si(111)2x1, in the region of dangling bond excitation, was performed.
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