Gate Leakage Current Reduction in Two-Step Processed High-k Dielectrics for Low Power Applications

Bersuker, G.; Heh, D.; Huang, J.; Park, C. S.; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; Kirsch, P.; Jammy, R.

Reduction of the gate leakage current in nMOS high-k devices is demonstrated by an engineered two-step deposited Hf-based high-k dielectric film. The electrical characteristics and reliability of the devices fabricated using the proposed two-step and conventional one-step high-k gate stacks are shown to be comparable. The lower leakage current is attributed to the misalignment of the grain boundaries in the multi-layer high-k dielectrics.

Gate Leakage Current Reduction in Two-Step Processed High-k Dielectrics for Low Power Applications / G., Bersuker; D., Heh; J., Huang; C. S., Park; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; P., Kirsch; R., Jammy. - ELETTRONICO. - (2010), pp. 1034-1035. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) tenutosi a Tokyo, Japan nel 22-24 September 2010.

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Gate Leakage Current Reduction in Two-Step Processed High-k Dielectrics for Low Power Applications
Autore/i:	G., Bersuker; D., Heh; J., Huang; C. S., Park; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; P., Kirsch; R., Jammy
Autore/i UNIMORE:	G. Bersuker D. Heh J. Huang C. S. Park PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca P. Kirsch R. Jammy mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
Luogo del convegno:	Tokyo, Japan
Data del convegno:	22-24 September 2010
Pagina iniziale:	1034
Pagina finale:	1035
Citazione:	Gate Leakage Current Reduction in Two-Step Processed High-k Dielectrics for Low Power Applications / G., Bersuker; D., Heh; J., Huang; C. S., Park; Padovani, Andrea; Larcher, Luca; P., Kirsch; R., Jammy. - ELETTRONICO. - (2010), pp. 1034-1035. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) tenutosi a Tokyo, Japan nel 22-24 September 2010.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/656044

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