EnglishLow-frequency noise in PCM devices is experimentally investigated providing a new physical model for the amorphous GST (Ge2Sb2Te5) material. Noise intensity is characterized and modelled as a function of bias, temperature and size. Findings from 1/f noise analysis are used to understand the drift mechanism of the amorphous state resistance.
Characterization and modelling of low-frequency noise in PCM devices / P., Fantini; G., Betti Beneventi; A., Calderoni; Larcher, Luca; Pavan, Paolo; F., Pellizzer. - STAMPA. - (2008), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International tenutosi a San Francisco, CA (USA) nel 15-17 Dec. 2008.
| Data di pubblicazione: | 2008 | |
| Titolo: | Characterization and modelling of low-frequency noise in PCM devices | |
| Autore/i: | P., Fantini; G., Betti Beneventi; A., Calderoni; Larcher, Luca; Pavan, Paolo; F., Pellizzer | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-64549102899 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000265829300049 | |
| Nome del convegno: | Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International | |
| Luogo del convegno: | San Francisco, CA (USA) | |
| Data del convegno: | 15-17 Dec. 2008 | |
| Pagina iniziale: | 1 | |
| Pagina finale: | 4 | |
| Citazione: | Characterization and modelling of low-frequency noise in PCM devices / P., Fantini; G., Betti Beneventi; A., Calderoni; Larcher, Luca; Pavan, Paolo; F., Pellizzer. - STAMPA. - (2008), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International tenutosi a San Francisco, CA (USA) nel 15-17 Dec. 2008. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/634606
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