EnglishIn this paper we report on a first-principle calculation of the electronic and structural properties of hydrogenated silicon nanocrystals both in the ground- and in an excited-state configuration. The presence of an electron-hole pair created under excitation is taken into account and its effects on both the electronic spectrum and the cluster geometry are pointed out. The interpretation of the results is done within a four-level model, which also allows the explanation of the experimentally observed Stokes shift. Size-related aspects are also analysed and discussed.
Attenzione! Scheda prodotto non ancora validata dall'Ateneo
Dati e metadati della pubblicazione sono in fase di verifica da parte dell'Ateneo. In caso di errori o violazione dei diritti d'autore, contattare: supporto.iris@unimore.it
| Anno di pubblicazione: | 2005 |
| Titolo: | Electronic, structural and optical properties of hydrogenated silicon nanocrystals: the role of the excited states |
| Autori: | G. CANTELE; ELENA DEGOLI; ELEONORA LUPPI; RITA MAGRI; D. NINNO; O. BISI; STEFANO OSSICINI; G. IADONISI |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 2 |
| Pagina iniziale: | 3263 |
| Pagina finale: | 3267 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/610459
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2018