EnglishTransmission Electron diffraction techniques for nm scale measurement in semiconductors / J. Vanhellemont; K.G.F.Janssens; S. Frabboni; R. Balboni and A. Armigliato. - STAMPA. - 405(1996), pp. 435-446. ((Intervento presentato al convegno MRS Fall Meeting tenutosi a Boston nel ottobre 1996.
| Data di pubblicazione: | 1996 |
| Titolo: | Transmission Electron diffraction techniques for nm scale measurement in semiconductors |
| Autori: | J. Vanhellemont; K.G.F.Janssens; S. Frabboni; R. Balboni and A. Armigliato |
| Autori: | |
| Data del convegno: | ottobre 1996 |
| Nome del convegno: | MRS Fall Meeting |
| Luogo del convegno: | Boston |
| Titolo del libro: | Surface/Interface and Stress Effects in Electronic Materials Nanostructures |
| Volume: | 405 |
| Pagina iniziale: | 435 |
| Pagina finale: | 446 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2018