EnglishMost of the applications of the Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) are in the field of telecommunications, where device reliability is a key issue. This work reports on a major HBT reliability issue: base dopant stability. In particualr, the most two widely employed base dopnats are addressed: Beryllium and Carbon. The instability phenomena typical of each doping impurity, and their effects on the HBT cahracteristics are briefly overviewed in this paper.
| Data di pubblicazione: | 1998 |
| Titolo: | Reliability of Gaas-based HBTs |
| Autori: | F. Fantini; M. Borgarino; L. Cattani; R. Menozzi |
| Autori: | |
| Data del convegno: | 23 - 24 November 1998 |
| Nome del convegno: | International Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications |
| Luogo del convegno: | Manchester (UK) |
| Titolo del libro: | Not available |
| Volume: | Not available |
| Pagina iniziale: | 119 |
| Pagina finale: | 124 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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