EnglishA numerical simulation technique suitable for device-level analysis of ion-sensitive devices is presented. The charge layers which develop at the electrolyte-insulator interface of an EIS system are taken into account in the formulation of charge transport equations, thus providing a self-consistent picture of charge and field distribution within the device. AC-modulated optical generation rate has also been taken into account, to make the simulation of LAPS device feasible. Comparisons with actual device responses provide validation of the TCAD tool.
| Data di pubblicazione: | 1996 |
| Titolo: | Numerical analysis of ISFET and LAPS devices |
| Autori: | G. Verzellesi; L. Colalongo; D. Passeri; B. Margesin; M. Rudan; G. Soncini; P. Ciampolini |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Sept. 1996 |
| Nome del convegno: | European Conference on Solid-State Transducers (EUROSENSORS) |
| Luogo del convegno: | Lueven (Belgium) |
| Titolo del libro: | Proceedings of Eurosensors X |
| Pagina iniziale: | 1079 |
| Pagina finale: | 1082 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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