Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs

Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni

Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs / E., Zanoni; G., Meneghesso; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). (Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Amsterdam (Holland) nel Oct. 2004).

Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs

E. ZANONI;G. MENEGHESSO;R. PIEROBON;F. RAMPAZZO;CHINI, Alessandro;VERZELLESI, Giovanni

2004

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione
	
				2004
			
	Titolo del Convegno
	
				European Microwave Week
			
	Luogo del Convegno
	
				Amsterdam (Holland)
			
	Data del Convegno
	
				Oct. 2004
			
	Tutti gli autori
	
						E., Zanoni; G., Meneghesso; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
					
	Citazione
	
				Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs / E., Zanoni; G., Meneghesso; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). (Intervento presentato al  convegno European Microwave Week tenutosi a Amsterdam (Holland) nel Oct. 2004).
			
	Tipologia
	
				Relazione in Atti di Convegno

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