Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs / E., Z., G., M., R., P., F., R., Chini, A., Verzellesi, G.. - STAMPA. - (2004). (European Microwave Week Amsterdam (Holland) Oct. 2004).
Trap-related effects, passivation and hot-carrier aging in GaN-based MESFETs and HEMTs
CHINI, Alessandro;VERZELLESI, Giovanni
2004
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