EnglishWe address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. ((Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Munich (Germany) nel Oct. 2003.
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Titolo: | Reliability aspects of GaN microwave devices |
| Autore/i: | E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | European Microwave Week |
| Luogo del convegno: | Munich (Germany) |
| Data del convegno: | Oct. 2003 |
| Pagina iniziale: | 23 |
| Pagina finale: | 41 |
| Citazione: | Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. ((Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Munich (Germany) nel Oct. 2003. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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