EnglishWe address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Titolo: | Reliability aspects of GaN microwave devices |
| Autori: | E. ZANONI; G. MENEGHESSO; G. VERZELLESI; R. PIEROBON; F. RAMPAZZO; A. CHINI |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Oct. 2003 |
| Nome del convegno: | European Microwave Week |
| Luogo del convegno: | Munich (Germany) |
| Titolo del libro: | GAAS WS 1: "Reliability of Microwave Devices" |
| Pagina iniziale: | 23 |
| Pagina finale: | 41 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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