We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Z., G., M., Verzellesi, G., R., P., F., R., Chini, A.. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. (European Microwave Week Munich (Germany) Oct. 2003).
Reliability aspects of GaN microwave devices
VERZELLESI, Giovanni;CHINI, Alessandro
2003
Abstract
We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
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