We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. (Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Munich (Germany) nel Oct. 2003).
Reliability aspects of GaN microwave devices
VERZELLESI, Giovanni;CHINI, Alessandro
2003
Abstract
We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
