We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.

Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. ((Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Munich (Germany) nel Oct. 2003.

Reliability aspects of GaN microwave devices

VERZELLESI, Giovanni;CHINI, Alessandro
2003

Abstract

We address the current collapse effects and hot-carrier degradation phenomena observed in GaN based MESFETs and HEMTs.
European Microwave Week
Munich (Germany)
Oct. 2003
23
41
E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro
Reliability aspects of GaN microwave devices / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; R., Pierobon; F., Rampazzo; Chini, Alessandro. - STAMPA. - (2003), pp. 23-41. ((Intervento presentato al convegno European Microwave Week tenutosi a Munich (Germany) nel Oct. 2003.
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