Gate-length dependence of bulk generation lifetime and surface generation velocity measurement in high-resistivity silicon using gated diodes

Dalla Betta, G. F.; Verzellesi, Giovanni; Boscardin, M.; Pignatel, G. U.; Bosisio, L.; Soncini, G.

The accuracy of the gated-diode method for extracting bulk generation lifetime and surface generation velocity in high resistivity silicon is shown to depend critically on the gate length of the adopted test device, as a result of nonidealities which are not accounted for by the measurement technique. Minimization of the surface generation velocity measurement error requires the gate length to be suitably reduced, while long gate devices are needed for accurate bulk generation lifetime extraction. Both parameters can be measured from a single test structure obtained by compenetrating a short gate device with a long gate one.

Gate-length dependence of bulk generation lifetime and surface generation velocity measurement in high-resistivity silicon using gated diodes / G. F., DALLA BETTA; Verzellesi, Giovanni; M., Boscardin; G. U., Pignatel; L., Bosisio; G., Soncini. - STAMPA. - (2000), pp. 85-89. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a Monterey (California, USA) nel Mar. 2000.

Data di pubblicazione:	2000
Titolo:	Gate-length dependence of bulk generation lifetime and surface generation velocity measurement in high-resistivity silicon using gated diodes
Autore/i:	G. F., DALLA BETTA; Verzellesi, Giovanni; M., Boscardin; G. U., Pignatel; L., Bosisio; G., Soncini
Autore/i UNIMORE:	G. F. DALLA BETTA VERZELLESI, Giovanni M. BOSCARDIN G. U. PIGNATEL L. BOSISIO G. SONCINI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0033724297
Nome del convegno:	IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)
Luogo del convegno:	Monterey (California, USA)
Data del convegno:	Mar. 2000
Pagina iniziale:	85
Pagina finale:	89
Citazione:	Gate-length dependence of bulk generation lifetime and surface generation velocity measurement in high-resistivity silicon using gated diodes / G. F., DALLA BETTA; Verzellesi, Giovanni; M., Boscardin; G. U., Pignatel; L., Bosisio; G., Soncini. - STAMPA. - (2000), pp. 85-89. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a Monterey (California, USA) nel Mar. 2000.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/467016

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