EnglishAb-initio calculations of electronic properties.
The electronic properties of the Pb-Si(111) interface at different coverages / Ossicini, Stefano; Bernardini, F.. - STAMPA. - 1(1992), pp. 509-513. ((Intervento presentato al convegno 21st INternatinal Conference on the Physics of Semiconductors tenutosi a Bejing (China) nel 10-14 August 1992.
| Data di pubblicazione: | 1992 |
| Titolo: | The electronic properties of the Pb-Si(111) interface at different coverages |
| Autore/i: | Ossicini, Stefano; Bernardini, F. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | 21st INternatinal Conference on the Physics of Semiconductors |
| Luogo del convegno: | Bejing (China) |
| Data del convegno: | 10-14 August 1992 |
| Volume: | 1 |
| Pagina iniziale: | 509 |
| Pagina finale: | 513 |
| Citazione: | The electronic properties of the Pb-Si(111) interface at different coverages / Ossicini, Stefano; Bernardini, F.. - STAMPA. - 1(1992), pp. 509-513. ((Intervento presentato al convegno 21st INternatinal Conference on the Physics of Semiconductors tenutosi a Bejing (China) nel 10-14 August 1992. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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