EnglishThe microFlash (NROM) concept is a 2-bit memory cell using an ONO dielectric as a storage media. To establish the capabilities and applications of the technology, endurance tests were performed on a 2Mb device. No limitation was found to cycle the device to 10,000 cycles and beyond. The microFlash process has been qualified ad implemented in production for applications requiring a limited number of program-erase cycles. The pbjective of the described work was to significantly increase the number of cycles. R&D is in progress to qualify the device for 10,000 cycles.
| Data di pubblicazione: | 2000 |
| Titolo: | Endurance optimization in microFlash Memory Device |
| Autori: | ALONI E.; GUTMAN M.; ROIZIN Y.; FINZI D.; HYUN C.I.; BLOOM I.; LEVY D.; LANN A.; P. PAVAN |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Aug. 28-31, 2000 |
| Nome del convegno: | Solid State Devices and Materials |
| Luogo del convegno: | Sendai, Japan |
| Titolo del libro: | SSDM |
| Volume: | LC-1-1 |
| Pagina iniziale: | 298 |
| Pagina finale: | 299 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2018