Endurance optimization in microFlash Memory Device

Aloni, E.; Gutman, M.; Roizin, Y.; Finzi, D.; Hyun, C. I.; Bloom, I.; Levy, D.; Lann, A.; Pavan, Paolo

The microFlash (NROM) concept is a 2-bit memory cell using an ONO dielectric as a storage media. To establish the capabilities and applications of the technology, endurance tests were performed on a 2Mb device. No limitation was found to cycle the device to 10,000 cycles and beyond. The microFlash process has been qualified ad implemented in production for applications requiring a limited number of program-erase cycles. The pbjective of the described work was to significantly increase the number of cycles. R&D is in progress to qualify the device for 10,000 cycles.

Endurance optimization in microFlash Memory Device / Aloni, E.; Gutman, M.; Roizin, Y.; Finzi, D.; Hyun, C. I.; Bloom, I.; Levy, D.; Lann, A.; Pavan, Paolo. - STAMPA. - LC-1-1(2000), pp. 298-299. ((Intervento presentato al convegno Solid State Devices and Materials tenutosi a Sendai, Japan nel Aug. 28-31, 2000.

Data di pubblicazione:	2000
Titolo:	Endurance optimization in microFlash Memory Device
Autore/i:	Aloni, E.; Gutman, M.; Roizin, Y.; Finzi, D.; Hyun, C. I.; Bloom, I.; Levy, D.; Lann, A.; Pavan, Paolo
Autore/i UNIMORE:	ALONI E. GUTMAN M. ROIZIN Y. FINZI D. HYUN C. I. BLOOM I. LEVY D. LANN A. PAVAN, Paolo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	Solid State Devices and Materials
Luogo del convegno:	Sendai, Japan
Data del convegno:	Aug. 28-31, 2000
Volume:	LC-1-1
Pagina iniziale:	298
Pagina finale:	299
Citazione:	Endurance optimization in microFlash Memory Device / Aloni, E.; Gutman, M.; Roizin, Y.; Finzi, D.; Hyun, C. I.; Bloom, I.; Levy, D.; Lann, A.; Pavan, Paolo. - STAMPA. - LC-1-1(2000), pp. 298-299. ((Intervento presentato al convegno Solid State Devices and Materials tenutosi a Sendai, Japan nel Aug. 28-31, 2000.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/466456

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