A New Analytical Model of Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) Current Suitable for Compact Modeling

Larcher, Luca; Pavan, Paolo

This paper presents for the first time a new approach to hot-carrier phenomena leading to an analytical model of both Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) currents. This model can be incorporated in Spice-like models of MOS transistors and Floating Gate (FG) devices to include hot carrier phenomena also in circuit simulations.

A New Analytical Model of Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) Current Suitable for Compact Modeling / Larcher, Luca; Pavan, Paolo. - STAMPA. - (2002), pp. 738-741. ((Intervento presentato al convegno Technical Proceedings of Fifth International Conference on Modeling and Simulation of Microsystem tenutosi a San Juan (Puerto Rico) nel 21-25 April 2002.

Data di pubblicazione:	2002
Titolo:	A New Analytical Model of Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) Current Suitable for Compact Modeling
Autore/i:	Larcher, Luca; Pavan, Paolo
Autore/i UNIMORE:	LARCHER, Luca PAVAN, Paolo
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-6344239337
Nome del convegno:	Technical Proceedings of Fifth International Conference on Modeling and Simulation of Microsystem
Luogo del convegno:	San Juan (Puerto Rico)
Data del convegno:	21-25 April 2002
Pagina iniziale:	738
Pagina finale:	741
Citazione:	A New Analytical Model of Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) Current Suitable for Compact Modeling / Larcher, Luca; Pavan, Paolo. - STAMPA. - (2002), pp. 738-741. ((Intervento presentato al convegno Technical Proceedings of Fifth International Conference on Modeling and Simulation of Microsystem tenutosi a San Juan (Puerto Rico) nel 21-25 April 2002.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/465611

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