EnglishThis paper presents for the first time a new approach to hot-carrier phenomena leading to an analytical model of both Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) currents. This model can be incorporated in Spice-like models of MOS transistors and Floating Gate (FG) devices to include hot carrier phenomena also in circuit simulations.
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| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | A New Analytical Model of Channel Hot Electron (CHE) and CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) Current Suitable for Compact Modeling |
| Autori: | L. LARCHER; P. PAVAN |
| Autori: | |
| Data del convegno: | 21-25 April 2002 |
| Nome del convegno: | Technical Proceedings of Fifth International Conference on Modeling and Simulation of Microsystem |
| Luogo del convegno: | San Juan (Puerto Rico) |
| Titolo del libro: | Technical Proceedings of Fifth International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems |
| Pagina iniziale: | 738 |
| Pagina finale: | 741 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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