Optoelectronic properties of porous silicon.

Electronic and optical properties of silicon quantum wires at different passivation regimes / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - STAMPA. - 5:(1997), pp. 227-252.

Electronic and optical properties of silicon quantum wires at different passivation regimes

OSSICINI, Stefano;BISI, Olmes
1997

Abstract

Optoelectronic properties of porous silicon.
1997
Inglese
Structural and optical properties of porous silicon nanostructures
5
227
252
9789056996048
Gordon and Breach Science Publishers
PAESI BASSI
AMSTERDAM
Low-dimensional systems; porous silicon
Electronic and optical properties of silicon quantum wires at different passivation regimes / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - STAMPA. - 5:(1997), pp. 227-252.
Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes
2
Contributo su VOLUME::Capitolo/Saggio
268
none
info:eu-repo/semantics/bookPart
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/462510
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact