EnglishThe paper presents new data on the reliability of GaAs MESFETs for microwave telecommunications obtained from the analysis of field repairs and accelerated tests. This work represents a systematic investigation of devices in the context of real applications, thus providing a significative contribution to the state of the art in the field.
Reliability of GaAs MESFETs / B., Ricco'; Fantini, Fausto; F., Magistrali; P., Brambilla. - STAMPA. - (1990), pp. 455-469.
| Data di pubblicazione: | 1990 |
| Titolo: | Reliability of GaAs MESFETs |
| Autore/i: | B., Ricco'; Fantini, Fausto; F., Magistrali; P., Brambilla |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1990BR90R00026 |
| Pagina iniziale: | 455 |
| Pagina finale: | 469 |
| Citazione: | Reliability of GaAs MESFETs / B., Ricco'; Fantini, Fausto; F., Magistrali; P., Brambilla. - STAMPA. - (1990), pp. 455-469. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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