EnglishGate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon / Bellutti, P.; Zorzi, N.; Verzellesi, Giovanni. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 39(1999), pp. 181-185.
| Data di pubblicazione: | 1999 | |
| Titolo: | Gate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon | |
| Autore/i: | Bellutti, P.; Zorzi, N.; Verzellesi, Giovanni | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 39 | |
| Pagina iniziale: | 181 | |
| Pagina finale: | 185 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000080532100005 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0032688276 | |
| Citazione: | Gate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon / Bellutti, P.; Zorzi, N.; Verzellesi, Giovanni. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 39(1999), pp. 181-185. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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