EnglishGate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon / BELLUTTI P.; ZORZI N.; G. VERZELLESI. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 39(1999), pp. 181-185.
| Anno di pubblicazione: | 1999 |
| Titolo: | Gate oxide reliability improvement related to dry local oxidation of silicon |
| Autore/i: | BELLUTTI P.; ZORZI N.; G. VERZELLESI |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 39 |
| Pagina iniziale: | 181 |
| Pagina finale: | 185 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000080532100005 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0032688276 |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/460397
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