EnglishA theoretical study is presented showing that the reverse leakage current thermally generated at the cutting edge of type-invertedp+/n single-sided silicon microstrip detectors is limited. Such behavior is shown to be related to a self-limiting mechanism acting on the edge surface generation, which prevents the net generation rate of electron-hole pairs at the detector edge from exceeding a saturation value, as the local hole density approaches its equilibrium value.
Two-dimensional numerical simulation of edge-generated currents in type-inverted, single-sided silicon microstrip detectors / Verzellesi, Giovanni; DALLA BETTA, G. F.; Pignatel, G. U.; Soncini, G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 46(1999), pp. 1253-1257.
| Data di pubblicazione: | 1999 | |
| Titolo: | Two-dimensional numerical simulation of edge-generated currents in type-inverted, single-sided silicon microstrip detectors | |
| Autore/i: | Verzellesi, Giovanni; DALLA BETTA, G. F.; Pignatel, G. U.; Soncini, G. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 46 | |
| Pagina iniziale: | 1253 | |
| Pagina finale: | 1257 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000082566100007 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0033329047 | |
| Citazione: | Two-dimensional numerical simulation of edge-generated currents in type-inverted, single-sided silicon microstrip detectors / Verzellesi, Giovanni; DALLA BETTA, G. F.; Pignatel, G. U.; Soncini, G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 46(1999), pp. 1253-1257. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/460383
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