EnglishA theoretical study is presented showing that the reverse leakage current thermally generated at the cutting edge of type-invertedp+/n single-sided silicon microstrip detectors is limited. Such behavior is shown to be related to a self-limiting mechanism acting on the edge surface generation, which prevents the net generation rate of electron-hole pairs at the detector edge from exceeding a saturation value, as the local hole density approaches its equilibrium value.
| Anno di pubblicazione: | 1999 |
| Titolo: | Two-dimensional numerical simulation of edge-generated currents in type-inverted, single-sided silicon microstrip detectors |
| Autori: | G. VERZELLESI; DALLA BETTA G.-F.; PIGNATEL G.U.; SONCINI G. |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 46 |
| Pagina iniziale: | 1253 |
| Pagina finale: | 1257 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/460383
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