The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces

Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes

The selfconsistent electronic properties of the epitaxial Si(111)-NiSi2 interface are computer for the experimentally observed type-A and type-B growth orientations. The densities of states projected on the various sites provide a detailed analysis of the silicon- silicide interface electronic states. The measured Schottky barrier heights may be interpreted by assuming that deviations from epitaxy must be taken into account.

The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 102(1988), pp. 315-318.

Data di pubblicazione:	1988
Titolo:	The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces
Autore/i:	Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes
Autore/i UNIMORE:	OSSICINI, Stefano BISI, Olmes
Rivista:	MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS
Volume:	102
Pagina iniziale:	315
Pagina finale:	318
Citazione:	The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 102(1988), pp. 315-318.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/459123

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