EnglishThe selfconsistent electronic properties of the epitaxial Si(111)-NiSi2 interface are computer for the experimentally observed type-A and type-B growth orientations. The densities of states projected on the various sites provide a detailed analysis of the silicon- silicide interface electronic states. The measured Schottky barrier heights may be interpreted by assuming that deviations from epitaxy must be taken into account.
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| Data di pubblicazione: | 1988 |
| Titolo: | The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces |
| Autori: | Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 102 |
| Pagina iniziale: | 315 |
| Pagina finale: | 318 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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