EnglishThe selfconsistent electronic properties of the epitaxial Si(111)-NiSi2 interface are computer for the experimentally observed type-A and type-B growth orientations. The densities of states projected on the various sites provide a detailed analysis of the silicon- silicide interface electronic states. The measured Schottky barrier heights may be interpreted by assuming that deviations from epitaxy must be taken into account.
The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 102(1988), pp. 315-318.
| Data di pubblicazione: | 1988 | |
| Titolo: | The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces | |
| Autore/i: | Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 102 | |
| Pagina iniziale: | 315 | |
| Pagina finale: | 318 | |
| Citazione: | The electronic properties of Silicon - Silicide epitaxial interfaces / Ossicini, Stefano; Bisi, Olmes. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 102(1988), pp. 315-318. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
Loading suggested articles...
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2022