EnglishABSTRACT Freshly etched porous silicon shows the structure of a crystalline skeleton with a connected undulating-wire morphology, in aged porous silicon samples the presence of Si dots is predominant. In this paper we present, for the first time, ab-initio results of the electronic and optical properties of undulating Si quantum wires, moreover the transition from Si quantum wires to Si quantum dots is also discussed
| Anno di pubblicazione: | 2000 |
| Titolo: | From undulating Si quantum wires to Si quantum dots: a model for porous silicon |
| Autori: | E. DEGOLI; M. LUPPI; S. OSSICINI |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 182 |
| Pagina iniziale: | 301 |
| Pagina finale: | 308 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/459096
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