Gate contact degradation of power MESFETs with gold-based gate metallisations is enhanced by local inhomogeneities, such as thermal gradients and border effects.

Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs / C., Canali; G., Donzelli; Fantini, Fausto; M., Vanzi; A., Paccagnella. - In: ELECTRONICS LETTERS. - ISSN 0013-5194. - STAMPA. - 23:(1987), pp. 83-84.

Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs

FANTINI, Fausto;
1987

Abstract

Gate contact degradation of power MESFETs with gold-based gate metallisations is enhanced by local inhomogeneities, such as thermal gradients and border effects.
23
83
84
Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs / C., Canali; G., Donzelli; Fantini, Fausto; M., Vanzi; A., Paccagnella. - In: ELECTRONICS LETTERS. - ISSN 0013-5194. - STAMPA. - 23:(1987), pp. 83-84.
C., Canali; G., Donzelli; Fantini, Fausto; M., Vanzi; A., Paccagnella
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