Degradation mechanisms induced by high current density in Al-gate GaAs MESFETs
Degradation mechanisms induced by high current density in Al-gate GaAs MESFETs / C., Canali; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; L., Umena; E., Zanoni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - STAMPA. - 34:(1987), pp. 205-211.
Degradation mechanisms induced by high current density in Al-gate GaAs MESFETs
FANTINI, Fausto;
1987
Abstract
Degradation mechanisms induced by high current density in Al-gate GaAs MESFETs
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