EnglishThe electromigration performance of Al-1%Si/TiN/ti metal scheme is investigated both for contacts and for stripes and compared with the results for the standard Al-1%Si metallization.
The Al-1% Si/TiN/Ti interconnection scheme: electromigration and reliability extrapolation / C., Caprile; G., Specchiulli; D., Sala; Fantini, Fausto. - In: QUALITY AND RELIABILITY ENGINEERING INTERNATIONAL. - ISSN 0748-8017. - STAMPA. - 7(1991), pp. 275-279.
| Data di pubblicazione: | 1991 | |
| Titolo: | The Al-1% Si/TiN/Ti interconnection scheme: electromigration and reliability extrapolation | |
| Autore/i: | C., Caprile; G., Specchiulli; D., Sala; Fantini, Fausto | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Rivista: | ||
| Volume: | 7 | |
| Pagina iniziale: | 275 | |
| Pagina finale: | 279 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0026190558 | |
| Citazione: | The Al-1% Si/TiN/Ti interconnection scheme: electromigration and reliability extrapolation / C., Caprile; G., Specchiulli; D., Sala; Fantini, Fausto. - In: QUALITY AND RELIABILITY ENGINEERING INTERNATIONAL. - ISSN 0748-8017. - STAMPA. - 7(1991), pp. 275-279. | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
Loading suggested articles...
I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2021