In this work we investigate, by means of electrical and both spectral and integral electroluminescence measurements, the light emission mechanisms in AlGaAs/InGaAs/GaAs peudomorphic HEMTs biased at high drain voltage.

On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs PHEMTs biased in the impact ionisation regime / Cova, P.; Menozzi, R.; Pavesi, M.; Pavesi, S.; Manfredi, M.; Fantini, Fausto. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - STAMPA. - 31(1998), pp. 276-281.

On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs PHEMTs biased in the impact ionisation regime

FANTINI, Fausto
1998

Abstract

In this work we investigate, by means of electrical and both spectral and integral electroluminescence measurements, the light emission mechanisms in AlGaAs/InGaAs/GaAs peudomorphic HEMTs biased at high drain voltage.
31
276
281
On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs PHEMTs biased in the impact ionisation regime / Cova, P.; Menozzi, R.; Pavesi, M.; Pavesi, S.; Manfredi, M.; Fantini, Fausto. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - STAMPA. - 31(1998), pp. 276-281.
Cova, P.; Menozzi, R.; Pavesi, M.; Pavesi, S.; Manfredi, M.; Fantini, Fausto
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