An analysis of the possible failure modes of TTL-LS was carried out, with particular emphasis on long term stability of Schottky diodes, all realized by PtSi-Ti/W-Al metallization system.

Reliability problems in TTL-LS devices / Canali, C.; Fantini, Fausto; Gaviraghi, S.; Senin, A.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 21:(1981), pp. 637-651.

Reliability problems in TTL-LS devices

FANTINI, Fausto;
1981

Abstract

An analysis of the possible failure modes of TTL-LS was carried out, with particular emphasis on long term stability of Schottky diodes, all realized by PtSi-Ti/W-Al metallization system.
1981
21
637
651
Reliability problems in TTL-LS devices / Canali, C.; Fantini, Fausto; Gaviraghi, S.; Senin, A.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 21:(1981), pp. 637-651.
Canali, C.; Fantini, Fausto; Gaviraghi, S.; Senin, A.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/451732
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 9
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 6
social impact