EnglishThe self-consistent electronic properties of the epitaxial Si(111)-NiSi2(111) interfaces are computed for the experimentally observed A- and B-type interface structures. The densities of states projected at the different atomic sites and the two-dimensional band structure provide a detailed analysis of the electronic properties of the silicon-silicide interface. The Schottky-barrier height turns out to be dependent not only on the interface structure, but also on the interface relaxation distance. A critical analysis of existing results is also presented.
Electronic structure of Si(111)-NiSi2(111) A-type and B-type interfaces / OSSICINI, Stefano; BISI, Olmes; BERTONI, Carlo Maria. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 42(1990), pp. 5735-5743.
| Data di pubblicazione: | 1990 |
| Titolo: | Electronic structure of Si(111)-NiSi2(111) A-type and B-type interfaces |
| Autore/i: | OSSICINI, Stefano; BISI, Olmes; BERTONI, Carlo Maria |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 42 |
| Pagina iniziale: | 5735 |
| Pagina finale: | 5743 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1990EA66700035 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-4143136989 |
| Codice identificativo Pubmed: | 9996159 |
| Citazione: | Electronic structure of Si(111)-NiSi2(111) A-type and B-type interfaces / OSSICINI, Stefano; BISI, Olmes; BERTONI, Carlo Maria. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 42(1990), pp. 5735-5743. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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