In this chapter, we review the main failure mechanisms that affect advanced compound semiconductor electron devices such as high electron mobility transistors (HEMTs) and heterostructure bipolar transistors (HBTs).

Failure mechanisms in compound semiconductor electron devices / Fantini, Fausto; R., Menozzi; Borgarino, Mattia; L., Cattani; D., Dieci. - STAMPA. - 2:(2001), pp. 155-170.

Failure mechanisms in compound semiconductor electron devices

FANTINI, Fausto;BORGARINO, Mattia;
2001

Abstract

In this chapter, we review the main failure mechanisms that affect advanced compound semiconductor electron devices such as high electron mobility transistors (HEMTs) and heterostructure bipolar transistors (HBTs).
Semiconductor Devices
0125137524
Academic Press
STATI UNITI D'AMERICA
Failure mechanisms in compound semiconductor electron devices / Fantini, Fausto; R., Menozzi; Borgarino, Mattia; L., Cattani; D., Dieci. - STAMPA. - 2:(2001), pp. 155-170.
Fantini, Fausto; R., Menozzi; Borgarino, Mattia; L., Cattani; D., Dieci
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