The aim of this work is to investigate the structural, electronic and optical properties of hydrogenated Si nanoclusters (H-Si-nc) in their ground and excited state configurations. Structural relaxations have been fully taken into account in all cases through total energy pseudopotential calculations. Recent results about ab-initio calculations of Stokes shift as a function of the cluster dimension and of optical gain will be presented here. A structural model that can be linked to the four level scheme recently invoked to explain the experimental outcomes relative to the observed optical gain in Si-nc embedded in a SiO2 matrix will be suggested too.
Electronic and optical properties of silicon nanocrystals: structural effects / Degoli, Elena; Ossicini, Stefano; M., Luppi; E., Luppi; Magri, Rita; G., Cantele; D., Ninno; N., Iadonisi. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 770(2003), pp. I.9.1-I.9.6.
Data di pubblicazione: | 2003 |
Titolo: | Electronic and optical properties of silicon nanocrystals: structural effects |
Autore/i: | Degoli, Elena; Ossicini, Stefano; M., Luppi; E., Luppi; Magri, Rita; G., Cantele; D., Ninno; N., Iadonisi |
Autore/i UNIMORE: | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-1542364494 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000187669900008 |
Rivista: | MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS |
Volume: | 770 |
Pagina iniziale: | I.9.1 |
Pagina finale: | I.9.6 |
Citazione: | Electronic and optical properties of silicon nanocrystals: structural effects / Degoli, Elena; Ossicini, Stefano; M., Luppi; E., Luppi; Magri, Rita; G., Cantele; D., Ninno; N., Iadonisi. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 770(2003), pp. I.9.1-I.9.6. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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