EnglishWe have synthesized, by Molecular Beam Epitaxy (MBE), Si/CaF2 multilayers which are optically active at room temperature. The photoluminescence spectra present a blue shift far decreasing Si layer thickness, in analogy to those obtained from porous silicon when the porosity is increased. We find a critical dependence of the photoluminescence efficiency on the thickness of the Si layers. We compare the experimental results to ab initio calculations of the band structure of Si/CaF2 multilayers which predict the band gap opening and the presence of confined and interface states leading to a quasi-direct band gap.
| Anno di pubblicazione: | 1995 |
| Titolo: | Light emission at room temperature from Si/CaF2 multilayers |
| Autore/i: | FA D'AVITAYA; L. VERVOORT; F. BASSANI; S. OSSICINI; A. FASOLINO; F. BERNARDINI |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 31 |
| Pagina iniziale: | 25 |
| Pagina finale: | 30 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1995RH50700005 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84956267952 |
| Citazione: | Light emission at room temperature from Si/CaF2 multilayers / FA D'AVITAYA; L. VERVOORT; F. BASSANI; S. OSSICINI; A. FASOLINO; F. BERNARDINI. - In: EUROPHYSICS LETTERS. - ISSN 0295-5075. - STAMPA. - 31(1995), pp. 25-30. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/306165
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