EnglishThe characterization of the excess low-frequency noise (LFN) properties of electronic devices is a useful tool in the field of reliability physics, because LFN is related to the interactions between charge carriers and material imperfections and defects. The LFN behavior of a bipolar transistor can be described in terms of extrinsic or intrinsic noise sources. The noise representation based on intrinsic noise sources allows more insight, because each source is associated with a particular transistor region. The availability of an intrinsic noise source model therefore allows to locate the degradation occurring during a life test.
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Titolo: | Investigation of the Hot-Carrier Degradation in Si/SiGe HBT’s by Intrinsic Low Frequency Noise Source Modeling |
| Autore/i: | Borgarino M.; Kuchenbecker J.; Tartarin J. C.; Bary L.; Kovacic S.; Plana R.; Menozzi R.; Fantini F.; Graffeuil J. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | 2001 GaAs Reliability Workshop |
| Luogo del convegno: | Baltimora, Maryland (USA) |
| Data del convegno: | 21/10/2001 |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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