Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel

Goswami, R.; Palestri, P.; Selmi, L.

Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel / Goswami, R., Palestri, P., Selmi, L.. - (2026). (EUROSOI-ULIS Granada (Spain) maggio 2026).

Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel

R. Goswami;P. Palestri;L. Selmi

2026

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Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione
	
				2026
			
	Data di prima pubblicazione
	
				mag-2026
			
	Presenza di Autori afferenti a Enti stranieri
	
				sì
			
	Lingua/e di pubblicazione
	
				Inglese
			
	Titolo del Convegno
	
				EUROSOI-ULIS
			
	Luogo del Convegno
	
				Granada (Spain)
			
	Data del Convegno
	
				maggio 2026
			
	Titolo del Volume
	
				Proceedings EUROSOI-ULIS 2026
			
	Tipologia
	
				info:eu-repo/semantics/conferenceObject
			
	Tutti gli autori
	
						Goswami, R.; Palestri, P.; Selmi, L.
					
	Tipologia
	
				Atti di CONVEGNO::Abstract in Atti di Convegno
			
	Tipologia sito docente
	
				274
			
	Fulltext
	
				open
			
	Citazione
	
				Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel / Goswami, R., Palestri, P., Selmi, L.. - (2026). (EUROSOI-ULIS Granada (Spain) maggio 2026).
			
	Numero autori
	
				3
			
	Dati del progetto
	
	Titolo Progetto
	
									DIRAC COLD-SOURCE TRANSISTOR TECHNOLOGIES  FOR ATTOJOULE SWITCHING (ATTOSWITCH)
								
	Acronimo
	
									ATTOSWITCH
								
	Nome finanziatore
	
										UNIONE EUROPEA
									
	N. Contratto
	
									101135571
								
	Tipologia
	
				Abstract in Atti di Convegno

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