Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel / Goswami, R., Palestri, P., Selmi, L.. - (2026). (EUROSOI-ULIS Granada (Spain) maggio 2026).
Single Trap and Low Frequency 1/f Noise Modeling in MOSFETs with Dirac Materials or 2D Semiconductor Channel
R. Goswami;P. Palestri;L. Selmi
2026
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