Dynamic $R_{\text{ON}}$ and $Q_{\text{OSS}}$ in P-GaN Power HEMTs Explained with the Hole Redistribution Model / Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni. - (2026), pp. 1-4. ( IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Tucson, Arizona (USA) 22-26 Marzo 2026) [10.1109/irps61424.2026.11499222].
Dynamic $R_{\text{ON}}$ and $Q_{\text{OSS}}$ in P-GaN Power HEMTs Explained with the Hole Redistribution Model
Zagni, Nicolo';Chini, Alessandro;Verzellesi, Giovanni
2026
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