Dynamic $R_{\text{ON}}$ and $Q_{\text{OSS}}$ in P-GaN Power HEMTs Explained with the Hole Redistribution Model / Zagni, N., Chini, A., Verzellesi, G.. - (2026), pp. 1-4. (IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Tucson, Arizona (USA) 22-26 Marzo 2026) [10.1109/irps61424.2026.11499222].
Dynamic $R_{\text{ON}}$ and $Q_{\text{OSS}}$ in P-GaN Power HEMTs Explained with the Hole Redistribution Model
Zagni, Nicolo';Chini, Alessandro;Verzellesi, Giovanni
2026
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
Dynamic_R_textON_and_Q_textOSS_in_P-GaN_Power_HEMTs_Explained_with_the_Hole_Redistribution_Model.pdf
Accesso riservato
Tipologia:
VOR - Versione pubblicata dall'editore
Licenza:
[IR] closed
Dimensione
555.18 kB
Formato
Adobe PDF
|
555.18 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
