Estimating the Number of Defects in a Single Breakdown Spot of a Gate Dielectric / Ranjan, A.; Padovani, A.; Dianat, B.; Raghavan, N.; Pey, K. L.; O’Shea, S. J.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 45:5(2024), pp. 809-812. [10.1109/led.2024.3375952]
Estimating the Number of Defects in a Single Breakdown Spot of a Gate Dielectric
Padovani, A.;Dianat, B.;
2024
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