This paper aims to review important theoretical and experimental aspects of both electrostatics and channel mobility in High-K Metal Gate UTBB-FDSOI MOSFETs. A simulation chain, including advanced quantum solvers, and semi-empirical Technology Computer Assisted Design (TCAD) tools is presented.

Mobility in high-K metal gate UTBB-FDSOI devices: From NEGF to TCAD perspectives / D., Rideau; Y. M., Niquet; Nier, Oliver; A., Cros; J. P., Manceau; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; V. H., Nguyen; F., Triozon; J. C., Barbe; I., Duchemin; D., Garetto; L., Smith; L., Silvestri; F., Nallet; R., Clerc; O., Weber; F., Andrieu; E., Josse; C., Tavernier; H., Jaouen. - (2013), pp. 12.5.1-12.5.4. (Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2013 tenutosi a Washington, DC, usa nel 9-11 Dicembre 2013) [10.1109/IEDM.2013.6724617].

Mobility in high-K metal gate UTBB-FDSOI devices: From NEGF to TCAD perspectives

PALESTRI, Pierpaolo;ESSENI, David;
2013

Abstract

This paper aims to review important theoretical and experimental aspects of both electrostatics and channel mobility in High-K Metal Gate UTBB-FDSOI MOSFETs. A simulation chain, including advanced quantum solvers, and semi-empirical Technology Computer Assisted Design (TCAD) tools is presented.
2013
2013 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2013
Washington, DC, usa
9-11 Dicembre 2013
12.5.1
12.5.4
D., Rideau; Y. M., Niquet; Nier, Oliver; A., Cros; J. P., Manceau; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; V. H., Nguyen; F., Triozon; J. C., Barbe; I., Duchemin; D., Garetto; L., Smith; L., Silvestri; F., Nallet; R., Clerc; O., Weber; F., Andrieu; E., Josse; C., Tavernier; H., Jaouen
Mobility in high-K metal gate UTBB-FDSOI devices: From NEGF to TCAD perspectives / D., Rideau; Y. M., Niquet; Nier, Oliver; A., Cros; J. P., Manceau; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; V. H., Nguyen; F., Triozon; J. C., Barbe; I., Duchemin; D., Garetto; L., Smith; L., Silvestri; F., Nallet; R., Clerc; O., Weber; F., Andrieu; E., Josse; C., Tavernier; H., Jaouen. - (2013), pp. 12.5.1-12.5.4. (Intervento presentato al convegno 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2013 tenutosi a Washington, DC, usa nel 9-11 Dicembre 2013) [10.1109/IEDM.2013.6724617].
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
Rideau_IEDM2013.pdf

Accesso riservato

Dimensione 349.39 kB
Formato Adobe PDF
349.39 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1328049
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 4
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact