Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study

Braccioli, M.; Eminente, S.; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Fiegna, C.

Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study / M., B., S., E., Palestri, P., Esseni, D., C., F.. - (2005), pp. 89-90. (Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices Pisa (Italia) JULY 2005).

Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study

M. Braccioli;S. Eminente;PALESTRI, Pierpaolo;ESSENI, David;C. Fiegna

2005

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione
	
				2005
			
	Titolo del Convegno
	
				Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices
			
	Luogo del Convegno
	
				Pisa (Italia)
			
	Data del Convegno
	
				JULY 2005
			
	Pagina iniziale
	
				89
			
	Pagina finale
	
				90
			
	Tutti gli autori
	
						M., Braccioli; S., Eminente; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; C., Fiegna
					
	Citazione
	
				Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study / M., B., S., E., Palestri, P., Esseni, D., C., F.. - (2005), pp. 89-90. (Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices Pisa (Italia) JULY 2005).
			
	Tipologia
	
				Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

File	Dimensione	Formato
2005_07_WorkshopModelingSimulation_Braccioli_ComparisonBulk.pdf Accesso riservato Dimensione 206.24 kB Formato Adobe PDF Visualizza/Apri Richiedi una copia	206.24 kB	Adobe PDF	Visualizza/Apri Richiedi una copia

Pubblicazioni consigliate

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris