Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study / M., Braccioli; S., Eminente; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; C., Fiegna. - (2005), pp. 89-90. (Intervento presentato al convegno Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices tenutosi a Pisa (Italia) nel JULY 2005).

Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study

PALESTRI, Pierpaolo;ESSENI, David;
2005
2005
Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices
Pisa (Italia)
JULY 2005
89
90
M., Braccioli; S., Eminente; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; C., Fiegna
Comparison of BULK and Ultra-Thin Double Gate SOI MOSFETs for the 65 nm Technology Node: A Monte Carlo Study / M., Braccioli; S., Eminente; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; C., Fiegna. - (2005), pp. 89-90. (Intervento presentato al convegno Proceeedings Workshop on Modeling and Simulation of Electron Devices tenutosi a Pisa (Italia) nel JULY 2005).
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