A complete study of SILC effects on E2PROM reliability

Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.

doi:10.1109/RELPHY.2002.996684

In this paper, we investigate SILC effects on E2PROM reliability: the influence of Program/Erase bias and cycle number, of oxide thickness scaling and quality, and of storage field on retention properties of E2PROM memory cell. To accomplish this task, we use a recently proposed compact E2PROM model, extended to include SILC, thus bridging the gap between oxide quality characterization activity performed on MOS test structures, and its actual impact on E2PROM memories.

A complete study of SILC effects on E2PROM reliability / Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.. - 2002-(2002), pp. 437-438. ((Intervento presentato al convegno 40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002 tenutosi a usa nel 2002 [10.1109/RELPHY.2002.996684].

Data di pubblicazione:	2002
Titolo:	A complete study of SILC effects on E2PROM reliability
Autore/i:	Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.
Autore/i UNIMORE:	LARCHER, Luca Bertulu S. PAVAN, Paolo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2002.996684
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0041893003
Codice identificativo ISI:	WOS:000176016400078
Nome del convegno:	40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002
Luogo del convegno:	usa
Data del convegno:	2002
Serie:	IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS
Volume:	2002-
Pagina iniziale:	437
Pagina finale:	438
Citazione:	A complete study of SILC effects on E2PROM reliability / Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.. - 2002-(2002), pp. 437-438. ((Intervento presentato al convegno 40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002 tenutosi a usa nel 2002 [10.1109/RELPHY.2002.996684].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Pubblicazioni consigliate

Loading suggested articles...

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1248188

Citazioni

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris