In this paper, we investigate SILC effects on E2PROM reliability: the influence of Program/Erase bias and cycle number, of oxide thickness scaling and quality, and of storage field on retention properties of E2PROM memory cell. To accomplish this task, we use a recently proposed compact E2PROM model, extended to include SILC, thus bridging the gap between oxide quality characterization activity performed on MOS test structures, and its actual impact on E2PROM memories.
A complete study of SILC effects on E2PROM reliability / Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.. - 2002-(2002), pp. 437-438. ((Intervento presentato al convegno 40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002 tenutosi a usa nel 2002 [10.1109/RELPHY.2002.996684].
Data di pubblicazione: | 2002 | |
Titolo: | A complete study of SILC effects on E2PROM reliability | |
Autore/i: | Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/RELPHY.2002.996684 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0041893003 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000176016400078 | |
Nome del convegno: | 40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002 | |
Luogo del convegno: | usa | |
Data del convegno: | 2002 | |
Serie: | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | |
Volume: | 2002- | |
Pagina iniziale: | 437 | |
Pagina finale: | 438 | |
Citazione: | A complete study of SILC effects on E2PROM reliability / Larcher, L.; Bertulu, S.; Pavan, P.. - 2002-(2002), pp. 437-438. ((Intervento presentato al convegno 40th Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2002 tenutosi a usa nel 2002 [10.1109/RELPHY.2002.996684]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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