Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications

Baten, M. Z.; Kumar, M. A.; Padovani, A.; Larcher, L.; Pramanik, D.

doi:10.1109/EDTM.2019.8731308

The impact of device-to-device statistical variation on Program/Erase (P/E) transients of planar TANOS devices is investigated using a multi-scale simulation approach. Atomic-level material and defect properties are first extracted from experimental results and then employed to study variability of the flat-band voltage shift. Erase characteristics are observed to be more affected by statistical variation. Interestingly, by adjusting temperature, gate voltage and/or blocking layer thickness, an optimized operating condition can be reached such that variability in 3D TANOS arrays is minimized.

Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications / Baten, M. Z.; Kumar, M. A.; Padovani, A.; Larcher, L.; Pramanik, D.. - (2019), pp. 203-205. ((Intervento presentato al convegno 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 tenutosi a sgp nel 2019 [10.1109/EDTM.2019.8731308].

Data di pubblicazione:	2019
Titolo:	Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications
Autore/i:	Baten, M. Z.; Kumar, M. A.; Padovani, A.; Larcher, L.; Pramanik, D.
Autore/i UNIMORE:	Baten M. Z. Kumar M. A. PADOVANI, ANDREA LARCHER, Luca Pramanik D. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/EDTM.2019.8731308
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-85067788481
Nome del convegno:	2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019
Luogo del convegno:	sgp
Data del convegno:	2019
Pagina iniziale:	203
Pagina finale:	205
Citazione:	Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications / Baten, M. Z.; Kumar, M. A.; Padovani, A.; Larcher, L.; Pramanik, D.. - (2019), pp. 203-205. ((Intervento presentato al convegno 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 tenutosi a sgp nel 2019 [10.1109/EDTM.2019.8731308].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1223046

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