EnglishThe Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems / Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - (2020), pp. 1-7. [10.1109/TED.2020.3018095]
| Data di pubblicazione: | 2020 | |
| Titolo: | The Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems | |
| Autore/i: | Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3018095 | |
| Rivista: | ||
| Pagina iniziale: | 1 | |
| Pagina finale: | 7 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000572635400070 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85092127144 | |
| Citazione: | The Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems / Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - (2020), pp. 1-7. [10.1109/TED.2020.3018095] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1209012
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