EnglishThe Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems / Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - (2020), pp. 1-7.
| Data di pubblicazione: | 2020 |
| Titolo: | The Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems |
| Autore/i: | Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3018095 |
| Rivista: | |
| Pagina iniziale: | 1 |
| Pagina finale: | 7 |
| Citazione: | The Role of Oxide Traps Aligned With the Semiconductor Energy Gap in MOS Systems / Caruso, Enrico; Lin, Jun; Monaghan, Scott; Cherkaoui, Karim; Gity, Farzan; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Hurley, Paul K.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - (2020), pp. 1-7. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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