P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties

Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.

doi:10.1109/GROUP4.2005.1516403

We report on an ab initio study of the structural and electronic properties of B and P doped Si nanocrystals (Si-nc). The formation energies (FE) scale with the radius, the activation energies with the inverse radius. The effects of B and P co-doping show that the FE are always smaller than that for the corresponding single-doped cases and that is possible to engineer the photoluminescence properties of Si-nc.

P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties / Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.. - 2005(2005), pp. 60-62. ((Intervento presentato al convegno 2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics tenutosi a Antwerp, bel nel 2005.

Data di pubblicazione:	2005
Titolo:	P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties
Autore/i:	Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.
Autore/i UNIMORE:	OSSICINI, Stefano IORI, Federico DEGOLI, Elena LUPPI, Eleonora MAGRI, Rita Cantele G. Trani F. Ninno D. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/GROUP4.2005.1516403
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-33746859415
Codice identificativo ISI:	WOS:000234323300022
Nome del convegno:	2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics
Luogo del convegno:	Antwerp, bel
Data del convegno:	2005
Volume:	2005
Pagina iniziale:	60
Pagina finale:	62
Citazione:	P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties / Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.. - 2005(2005), pp. 60-62. ((Intervento presentato al convegno 2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics tenutosi a Antwerp, bel nel 2005.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1204807

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