We report on an ab initio study of the structural and electronic properties of B and P doped Si nanocrystals (Si-nc). The formation energies (FE) scale with the radius, the activation energies with the inverse radius. The effects of B and P co-doping show that the FE are always smaller than that for the corresponding single-doped cases and that is possible to engineer the photoluminescence properties of Si-nc.
P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties / Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.. - 2005(2005), pp. 60-62. ((Intervento presentato al convegno 2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics tenutosi a Antwerp, bel nel 2005 [10.1109/GROUP4.2005.1516403].
Data di pubblicazione: | 2005 | |
Titolo: | P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties | |
Autore/i: | Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/GROUP4.2005.1516403 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-33746859415 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000234323300022 | |
Nome del convegno: | 2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics | |
Luogo del convegno: | Antwerp, bel | |
Data del convegno: | 2005 | |
Volume: | 2005 | |
Pagina iniziale: | 60 | |
Pagina finale: | 62 | |
Citazione: | P and B single- and co-doped silicon nanocrystals: Formation and activation energies, electronic and optical properties / Ossicini, S.; Iori, F.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Cantele, G.; Trani, F.; Ninno, D.. - 2005(2005), pp. 60-62. ((Intervento presentato al convegno 2005 IEEE International Conference on Group IV Photonics tenutosi a Antwerp, bel nel 2005 [10.1109/GROUP4.2005.1516403]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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