EnglishIn this paper, we analyze the multi-frequency C-V curves of In0.53Ga0.47As MOSCAPs by employing physics-based TCAD simulations including both border and interface traps. The calculations reproduce the experimental inversion and accumulation capacitance, and the general trend of the depletion capacitance. A study of the influence of the quantization model on the extraction of the trap distribution is also carried out.
| Data di pubblicazione: | 2018 |
| Autore/i: | Caruso, E.; Lin, J.; Burke, K. F.; Cherkaoui, K.; Esseni, D.; Gity, F.; Monaghan, S.; Palestri, P.; Hurley, P.; Selmi, L. |
| Titolo: | Physics-based TCAD analysis of Border and Interface traps in Al2O3/InGaAs stacks using Multifrequency CV-curves |
| Nome del convegno: | WODIM 2018 - 20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics |
| Luogo del convegno: | Berlino |
| Data del convegno: | Giugno |
| Citazione: | Physics-based TCAD analysis of Border and Interface traps in Al2O3/InGaAs stacks using Multifrequency CV-curves / Caruso, E.; Lin, J.; Burke, K. F.; Cherkaoui, K.; Esseni, D.; Gity, F.; Monaghan, S.; Palestri, P.; Hurley, P.; Selmi, L.. - (2018). ((Intervento presentato al convegno WODIM 2018 - 20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics tenutosi a Berlino nel Giugno. |
| Tipologia | Abstract in Atti di Convegno |
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