New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits

Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.

doi:10.1109/EDTM.2018.8421501

This paper addresses selected topics about recent developments in CMOS technologies evolving towards 3D integrated circuits and incorporating innovative device concepts and ever new materials.

New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits / Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.. - (2018), pp. 236-238. ((Intervento presentato al convegno 2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 tenutosi a jpn nel 2018.

Data di pubblicazione:	2018
Titolo:	New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits
Autore/i:	Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.
Autore/i UNIMORE:	D. Esseni O. Badami F. Driussi D. Lizzit M. Pala P. Palestri T. Rollo SELMI, LUCA S. Venica mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/EDTM.2018.8421501
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-85051482119
Nome del convegno:	2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018
Luogo del convegno:	jpn
Data del convegno:	2018
Pagina iniziale:	236
Pagina finale:	238
Citazione:	New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits / Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.. - (2018), pp. 236-238. ((Intervento presentato al convegno 2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 tenutosi a jpn nel 2018.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1166947

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