This paper addresses selected topics about recent developments in CMOS technologies evolving towards 3D integrated circuits and incorporating innovative device concepts and ever new materials.
New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits / Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.. - (2018), pp. 236-238. ((Intervento presentato al convegno 2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 tenutosi a jpn nel 2018.
Data di pubblicazione: | 2018 |
Titolo: | New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits |
Autore/i: | Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S. |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/EDTM.2018.8421501 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85051482119 |
Nome del convegno: | 2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 |
Luogo del convegno: | jpn |
Data del convegno: | 2018 |
Pagina iniziale: | 236 |
Pagina finale: | 238 |
Citazione: | New device concepts, transistor architectures and materials for high performance and energy efficient CMOS circuits in the forthcoming era of 3D integrated circuits / Esseni, D.; Badami, O.; Driussi, F.; Lizzit, D.; Pala, M.; Palestri, P.; Rollo, T.; Selmi, L.; Venica, S.. - (2018), pp. 236-238. ((Intervento presentato al convegno 2nd IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 tenutosi a jpn nel 2018. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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